随着集成电路在辐射环境下的应用越来越广泛,研究半导体器件和电路电离辐射效应的损伤机理,提高其抗辐照水平成为近年来国内外微电子学领域的重要课题。硅基器件作为集成电路的基础,其抗辐照能力成为研究的重点。本文首先介绍了主要的电离辐照效应——总剂量效应,分析了MOS器件总剂量效应产生的机理和造成的损伤。阈值电压漂移是电离辐照总剂量效应对MOS器件产生的主要损伤。通过数值推导,建立MOS器件电离辐照效应阈值电压漂移量与辐照总剂量之间关系模型,并利用ISE软件模拟仿真辐照过程,对模型进行验证。此外,分析了SOI结构的优势和在抗总剂量辐照效应方面存在的缺陷,推导出SOI结构电离辐照效应阈值电压漂移量与辐照总剂量之间关系模型,并利用IES软件进行仿真验证。最后讨论了SOI结构电离辐照效应阈值电压漂移量与器件偏置条件的关系,并通过ISE软件的模拟仿真。