钍除了是一种重要的核燃料外，还具有广泛的用途，但其毒性、放射性对人类、动物和环境造成重大危害，因此，对钍的分析检测越来越受到国内外科技工作的关注。目前用于检测钍离子的方法有很多，但对于某些复杂的环境、生物体系样品、溶液中的痕量、超痕量金属离子却很难进行检测。荧光传感器具有高灵敏度、操作简便的特点，且与分子印迹技术相结合的分子印迹荧光传感器具有预定识别性、选择性高以及灵敏度高等特点，成为了传感领域的研究热点，可用于金属离子的固相分离萃取以及分析检测。本论文主要分三个部分进行工作：1、简要综述了钍离子的分离分析方法，分子荧光传感器的定义、结构及应用，分子印迹技术，并对分子印迹技术在荧光传感器的应用现状做了简要介绍。2、以N,N’-双-3-烯丙基水杨醛缩邻苯二胺（BASPDA）Schiff碱为荧光探针，研究了各种因素，如：溶剂、pH、浓度、干扰离子等对BASPDA和Th（IV）配合物的荧光影响，建立了BASPDA荧光探针分析检测Th（IV）的方法，其线性范围为1.0×10^-7mol·L^-1-2.9×10^-5mol·L^-1，检出限为0.5×10^-7mol·L^-1。3、合成一种新的Schiff碱1-苯基-2,3-二甲基-4-（烯丙基水杨醛亚胺）-5-吡唑啉酮（MDASAP）及其钍的配合物。采用表面印迹技术，以Schiff碱1-苯基-2,3-二甲基-4-（烯丙基水杨醛亚胺）^-5-吡唑啉酮为荧光功能单体，Th4+为模板离子，制备钍离子荧光印迹传感器，并考察了该传感器对钍离子的检测性能。