随着5G,大数据,AI和云计算等大量新技术的发展应用,人们迫切期望更高传输速率、更低传输成本的通信传输系统。而光通信系统是现有信息传输系统中最为理想的,也是最有可能满足高速率、高效率、节约化、小型化要求的。作为光通信系统中的核心器件之一,电光调制器的性能影响着整体系统的优劣。近年来,具备高调制速率、低能耗、低损耗、尺寸小易于集成等优良性能的电光调制器愈来愈受到重视和研究。同时,光子晶体结构因为优良的材料特性而受到了科研人员的热切关注。因此,研究新型光子晶体电光调制器的意义重大。本文提出了两种基于SOI的一维光子晶体纳米梁腔电光调制器,分别为由硅基底、二氧化硅包层和位于包层中间通过主线波导与一维光子晶体纳米梁腔形成的侧耦合结构电光调制器;以及由硅基底、二氧化硅包层和位于包层中间通过入射波导、下载波导与一维光子晶体纳米梁腔形成的反射壁下载型电光调制器。采用圆柱型渐变孔径的一维光子晶体纳米梁腔,使光束更好的束缚在腔内,调整腔的结构参数,使其工作波长位于通信波段。同时,在纳米梁腔两侧引入掺杂形成p-n结,通过施加较低偏压调节纳米梁腔的谐振波长,从而利用缺陷模迁移原理完成调制。通过Lumerical软件对所设计器件的光学与电学结构进行仿真计算,对结构参数及调制性能进行优化,最后得出性能最优时的结构参数。根据仿真结果将本文提出的两个光学结构不同的电光调制器及性能进行对比分析,结果表明,侧耦合型电光调制器可以实现对1550.55nm波长的TE0模光信号的“通”、“断”调制,消光比为18.2d B,插入损耗为0.04d B,调制电压为1.175V,尺寸为25um~2,调制速率为8.3GHz,调制带宽为90GHz。而反射壁下载型电光调制器可以实现对1550.01nm波长的TE0模光信号的调制,消光比为24d B,插入损耗为0.2d B,调制电压为1.2V,尺寸仅为54um~2,调制速率为8.7GHz,调制带宽可以达到122GHz,可应用于集成光子器件及高速光通信领域。