【摘 要】
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本文提出了多晶硅薄膜晶体管(Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors,Poly-Si TFTs)的串联电阻物理模型。该模型针对器件的物理结构，详细地分析了栅极与源漏极交叠区
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本文提出了多晶硅薄膜晶体管(Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors,Poly-Si TFTs)的串联电阻物理模型。该模型针对器件的物理结构，详细地分析了栅极与源漏极交叠区域（即源漏掺杂离子横向扩散进入本征沟道所形成的交叠区域）中存在的三种物理效应：栅压诱导产生的载流子积累效应、电流路径的发散效应以及晶粒间界势垒对载流子的调制效应。据此建立了多晶硅TFT串联电阻模型，该模型可以准确的描述多晶硅TFT串联电阻对栅压的非线性依赖关系。利用该模型计算得到的串联电阻值可以与实验提取值很好地吻合，并在MILC和ELA两种不同工艺的多晶硅TFT器件上都得到了验证。此外，我们还对上述模型进行了进一步的讨论与优化，得到了串联电阻模型的解析表达式，从解析表达式中可以看出器件参数对多晶硅TFT串联电阻的影响，并逐一澄清了串联电阻的各个分量。最终，本文提出了一些可以有效减小串联电阻的方法。
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