锡在地球上储量非常丰富,锡氧化物由于其特殊的物理化学性能已经引起了人们的广泛关注。其中,常见的锡氧化物如SnO和SnO2已经被广泛应用在锂电池、光催化等领域。除了常见的单一价态的锡氧化物,还有混合价态的锡氧化物如Sn3O4具有迥然不同的物理化学性能。Sn3O4是一种窄带隙半导体材料,禁带宽度为2.8eV,具有独特的光电性能。在本文中,我们成功的制备了 Sn3O4纳米片以及Sn3O4@TiO2纳米阵列。之后我们对它们的光电性能进行了测试,具体内容如下:1.我们采用水热法成功的合成了Sn3O4纳米片。我们通过SEM、TEM以及HRTEM测试表明,样品的纳米片的厚度大约为几十纳米,直径大约为几百纳米。我们通过XRD以及Raman证实了合成的样品为Sn3O4不是SnO和SnO2的混合物。其次我们对样品进行了 PL、XPS表征。光电化学测试结果表明,Sn3O4具有优秀的光电与循环性能。2.我们通过水热法分两步成功的合成了 Sn3O4@TiO2纳米阵列。XRD、SEM、HRTEM分析表明,Sn3O4纳米片成功的负载到了 TiO2纳米棒表面。我们进行了光电化学性能的测试。通过对实验数据的分析,我们发现Sn3O4@TiO2纳米阵列的光电性能相比较Sn3O4有了明显的提升。3.我们通过水热法合成了 Sn3O4纳米片以及Sn3O4@TiO2纳米阵列两种样品,并对其进行光催化测试。通过对罗丹明的降解测试我们发现Sn3O4纳米片具有优秀的催化性能以及循环稳定性。我们对Sn3O4@TiO2纳米阵列分别进行了紫外光和可见光光催化性能测试,测试结果表明纳米阵列的催化效果比TiO2有了明显的提升。