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碲化镉(Cd Te)是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,由于其具有光谱响应与太阳光谱十分匹配的带隙值(Eg=1.45ev),在可见光范围内较高的光吸收系数(>5×105/cm)和电子迁移率(μe=7800~8600cm2/Vs)等重要的性质被认为是最适合用作太阳能电池器件的光吸收层材料之一。众所周知,合成具有特定结构的纳米晶体以及研究基于该结构的性质具有非常重要的意义。在众多纳米材料制备工艺中,电沉积法可以获得不同结构的Cd Te而被认为是一种合适的制备方法。该方法操作简单,成本低廉,可大面积制备,所以本文就是采用电沉积法制备的Cd Te薄膜,研究了沉积电位对薄膜的影响,并对该薄膜的形貌,组分,晶体结构,和光电化学性能进行了测试与表征。又研究了酸性电解液体系下有机添加剂柠檬酸钠的加入对于所制备薄膜的影响。主要工作为:(1):室温条件下,在Ni片基底上,采用恒电位电沉积法制备了垂直基底直立生长的具有棒状阵列结构的Cd Te薄膜。以Ni片为工作电极,石墨片为对电极,Ag/Ag Cl/KCl(sat)为参比电极。电解液由硫酸镉、亚碲酸钠组成,并用硫酸调其PH至2。在沉积电压为-0.5V,沉积时间1h情况下制备出了均匀致密的Cd Te棒状薄膜,其原子比例比较接近Cd Te的化学计量比,是一种富Te的Cd Te棒状薄膜。该薄膜具有闪锌矿结构,且沿(111)晶面择优生长。(2):室温条件下,在Ni片基底上,采用电沉积法制备了表面平整的Cd Te薄膜。并在该过程中探究了沉积电位和柠檬酸钠的浓度对Cd Te的形貌,元素比例,晶体结构以及光电化学性能的影响。沉积电位是一个重要的电沉积参数,调整沉积电位可以调节元素比例从而改变薄膜的导电类型。实验发现,在-0.3V~-0.6V范围内,随着沉积电位的增加,Cd/Te原子比呈增加趋势,但均小于1,说明沉积电位只是改变了Cd Te薄膜的原子比例,并没有改变其富Te特征,即均为P型型Cd Te薄膜。沉积电位对Cd Te的形貌没有产生明显的影响,所沉积的Cd Te都是棒状结构,且在-0.6V的沉积电位下结晶性最好。在该沉积电位条件下,发现随着柠檬酸钠浓度的增大,Cd Te的形貌从棒状变为薄膜,导电类型都为P型,在柠檬酸钠的浓度为0.08M时,获得了结晶性良好,光电化学性能较佳的Cd Te薄膜。