大量研究表明Pb(Zr,Ti)O3（PZT）基钙钛矿型固溶体陶瓷在准同型相界（MPB）附近的组成通常具有优异的电学性能，故本论文的研究工作将主要针对两种PZT基的多元体系进行研究，以此来探索PZT基多元体系在MPB附近的组成和性能之间的关系。本论文第一部分工作选取PSbN-PZN-PZT四元系陶瓷作为实验对象，研究了Zr/Ti比、烧结工艺和极化效应对陶瓷性能的影响，并对PSbN-PZN-PZT体系陶瓷进行了La3+掺杂改性研究，最终获得了综合性能较好的陶瓷材料。通过对0.02PSbN-0.2PZN-0.78PZxT1-x陶瓷的研究发现，Zr/Ti比对相结构、微观形貌、介电、压电与铁电性能都有较大的影响。随着Zr/Ti比的增加，物相由四方相向三方相转变，在Zr/Ti=0.50/0.50时处于MPB的位置，并表现出最佳的性能：ρv=7.97g/cm3，εT33/ε0=2433，tanδ=1.77%，d33=520pC/N，kp=0.64，Tc=284℃，Pr=32.3μC/cm2，Ps=40.3μC/cm2以及Ec=1.47kV/mm。对该组成进行烧结研究发现，1260℃下烧结的样品晶粒致密、介电压电性能最佳。随后探讨了极化条件对1260℃下烧结样品性能的影响，确定了最优极化工艺参数：电场3kV/mm、120℃硅油浴、时间20min。对(Pb0.93-3x/2Sr0.05Ba0.02Lax)[(Sb0.5Nb0.5)0.02(Zn13Nb23)0.20(Zr0.535Ti0.465)0.78]O3压电陶瓷的研究表明：La3+的掺杂没有改变基体的相结构，但对介电压电性能提升明显，同时也显著降低了材料的Tc。结合Tc及电性能发现，x=1mol%时的综合性能最好，此时Tc=163℃，εT33/ε0=4033，tanδ=2.72%，d33=630pC/N，kp=0.565及Qm=43。对其进行低温热处理研究发现其对介电、压电性能及显微结构的影响不大。其次基于PZT及Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-PbTiO3（BMT-PT）在MPB处具有较高的居里温度Tc和较好的电性能，故本论文第二部分选取了xBMT-(0.56-x)PZ-0.44PT为实验对象，探讨了BMT含量对相结构转变、介电弛豫行为及介电、铁电和压电性能的影响。研究结果表明：随BMT的增加，该体系发生了从菱方相到四方相的结构转变，当x=0.08时处于MPB的位置。此外还经历了正常-弛豫-弥散的铁电相变过程，Tm的变化则较为复杂。电性能测试结果表明，在位于MPB处x=0.08的组成性能最佳：εT33/ε0=1450，Qm=69，d33=390pC/N，kp=0.46，Pr=30μC/cm2，Ec=1.4kV/mm，Tc=325℃以及d33*=436pm/V，同时研究还表明该组成还具有良好的热稳定性及频率稳定性。