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氮化镓(GaN)是宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的代表,其禁带宽度为Eg=3.4eV,具有高饱和电子漂移速度、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高硬度等特性,是制作高效率蓝绿光发光二极管、蓝光半导体激光器、高频大功率场效应晶体管和紫外光探测器等半导体器件的首选材料。在实际应用中通常使用的GaN材料为薄膜形式,研究人员尝试用不同方法来制备GaN薄膜,最早出现的是氢化物气相外延生长(HVPE),随后是金属有机气相沉积(MOCVD)和分子束外延生长(MBE)。近年来出现的一些新型方法有电泳沉积(EPD)、