钼由于其优良的物理和化学性质被广泛应用，钼合金基片是晶闸管、IGBT模块等半导体的核心配套部件，起着保护芯片正常工作、延长晶闸管的疲劳寿命等作用。但是钼片的应用中还存在一些问题，比如说本身难于镀覆，钼片本身在400℃时就容易在空气中氧化，表面易生成的氧化膜。但是生成的氧化膜对钼不能起到任何保护作用，所以用于半导体元件的钼片最好镀上一层保护膜。本文研究领域为钼片镀覆领域，重点对钼片的前处理工艺、钼片电镀钌工艺以及电镀钌镀层结合力和均匀性的改善等进行了研究。本论文对钼片前处理工艺进行了研究。钼片的前处理过程对于钼片后续镀层的质量有着至关重要的影响，而现有的前处理工艺，如果应用到工业生产会有诸多弊端，因此，本论文通过试验及分析，研发了一种新的前处理工艺，不仅达到了去除油污、剥离氧化皮等的效果，同时增强了基体与后续镀层的机械咬合力，为后续的电镀钌打下了坚实的基础，而且能达到安全、效率高的目标。在电镀钌工艺的研究方面，本论文论述了影响电镀钌的各种因素。主要是对电镀钌的原理及试验准备进行了概述，通过查阅资料，选择了适合于工业电镀的镀钌配方，从镀速及镀层外观着手，利用单因素法分析电镀钌工艺的各种因素，通过对镀速及镀层外观综合考虑选取每种因素的最佳范围值。本论文的重点在于解决电镀钌层结合力差的问题，这也是镀层质量的一个重要指标。本文采用两步预镀作为过渡层，提高基体与过渡层以及过渡层与镀钌层的浸润性。除了在预镀方面考虑，本论文还考虑到从后处理方面入手，通过试验最终发现用烤箱除氢镀钌层结合力有所改善。最后，本文还对镀层均匀性进行了分析研究，在试验条件允许的条件下，通过对极板间距的改变以及对挂具进行改良，改善边缘效应，从而改善镀层的均匀性，由镀层测厚仪检测镀层厚度，发现镀层厚度呈现盆形曲线，通过改善边缘效应，盆形曲线趋于平缓。