氧化铟锡（ITO）薄膜具有优异的光电性能,广泛应用于薄膜太阳能电池、显示面板等领域。高性能ITO薄膜的制备依赖于高性能的ITO靶材。高相对密度的ITO靶材通常需要在1600℃的高温下烧结一周左右,耗能非常高,因此如何降低ITO靶材的烧结温度实现靶材的绿色制备是当前急需解决的重要问题。要想低温烧结获得高相对密度的ITO靶材,如何提高生坯的相对密度至关重要。本文采用冷烧结工艺开展了ITO生坯的成型研究,探究了辅助溶剂种类、压力、温度、升温速率等冷烧结工艺参数对生坯的密度、微观结构及电性能的影响;研究了以不同粒径的ITO粉体为原料对冷烧结制备生坯过程中的影响;采用共沉淀法制备锌掺杂ITO（ZITO）粉体,探究不同锌掺杂量对冷烧结制备生坯及退火的影响。采用XRD、SEM等手段对生坯及退火后样品的微观结构、相组成、电性能进行了表征。（1）以共沉淀法制备的纳米ITO粉体为原料,在400℃/470 MPa下制备出相对密度为90.60%、电阻率为2.497×10-3Ω·cm的ITO生坯。生坯在1050℃退火4h后获得相对密度为93.96%、电阻率为8.356×10-4Ω·cm、平均晶粒尺寸为110nm的ITO靶材。冷烧结制备的高密度ITO生坯有利于降低靶材的烧结温度。（2）以共沉淀法制备的前驱体经不同煅烧条件（500℃/1 h、600℃/1 h、700℃/1 h、800℃/1 h）得到不同粒径（12.82 nm、20.71 nm、31.64 nm、45.90 nm）的ITO粉体为原料,通过冷烧结工艺制备成生坯,研究了不同粉体粒径对冷烧结生坯成型的影响规律,发现粒径为31.64 nm的粉体获得了本实验范围内的最高生坯相对密度为93.67%,电阻率为7.862×10-4Ω·cm。采用20.71 nm的粉体与45.90 nm的粉体按质量比9:1混合为原料时,生坯的相对密度为90.16%、电阻率为1.342×10-3Ω·cm。以商业ITO粉体为原料,按相同工艺获得的生坯相对密度为71.14%,电阻率为6.256×10-3Ω·cm。为提高商业ITO粉体制备生坯的密度,采用共沉淀纳米粉体与商业粉进行混合后作为冷烧结制备生坯的原料,质量比40wt.%的共沉淀粉与60wt.%的商业粉为原料时,冷烧结后获得相对密度88.37%、电阻率为2.041×10-3Ω·cm的ITO生坯。（3）粒径小的纳米ITO粉体有利于提高烧结活性,降低烧结温度。使用共沉淀法制备不同锌掺杂量的ITO粉体为原料进行冷烧结制备ZITO生坯,当原子比Zn:（In+Sn）=0.08时,生坯的密度为6.3196 g/cm~3、电阻率为1.570×10-2Ω·cm。锌掺杂ITO有利于ITO密度的提高,在1400℃退火时,原子比为0.12的样品密度达到6.5046g/cm~3,电阻率为9.392×10-3Ω·cm。原子比小更有利于获得低的电阻率,原子比为0.06的样品在1400℃退火后,密度为6.3012 g/cm~3,电阻率为3.180×10-3Ω·cm。