本文利用包含二元无序和侧位点关联的紧束缚模型研究DNA分子的场效应特性。这里所考虑的DNA分子沉积于绝缘衬底的表面。我们在垂直于衬底表面的方向上施加一个均匀的静电场，即门电压。结果表明体系中会产生孤立的扩展态。这种扩展态的存在与DNA的碱基序列无关而其位置可以被门电压调节。当门电压达到适当的值时，这种孤立的扩展态将出现在体系的Fermi能级上，从而显著增强了体系的长程电输运能力。我们还发现，如果DNA分子与衬底表面的耦合强度在一定的范围内，体系的Fermi能级将随着门电压的单调改变而两次成为扩展态。我们认为这种现象是外电场，衬底表面以及DNA分子的内在无序性这三种因素共同作用的结果。根据这种机制，我们提出可以用与某种衬底表面相接触的混合DNA序列（比如λ-DNA）来制造单分子场效应管。另外，我们指出存在这种孤立扩展态是与衬底表面耦合的二元无序纳米线的一般特征。　　在本文中我们采用转移矩阵的方法计算了局域化长度和透射系数，用Landauer-Büttiker公式计算了伏安特征曲线。文章的内容主要包括以下4部分:第一章介绍DNA输运研究的发展历史和背景。第二章考察了DNA导线的主要物理模型及其重要的输运性质。第三章主要是本文计算的结果和讨论。第四章对结论做出最后总结和展望。