含8-羟基喹啉铝和咔唑侧基聚合物的合成

来源 :中山大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:flfi2003
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8-羟基喹啉铝是公认性能优良的电子传输型电致发光材料,若能将其高分子化并同时引入空穴传输结构,有望获得具有均衡电荷传输能力的新型电致发光高分子材料。 本文首先研究合成了两种分别含8-羟基喹啉结构和咔唑结构的甲基丙烯酸酯单体(2b和3b),然后将之自由基共聚合成了一系列两种单体比例分别为2b:3b=1:9,2:8和4:6的共聚物,所得共聚物的分子量M<,n>介于14000至20000,PDI为1.96,1.93和1.61。再将所得共聚物与Alq<,2>进行配位,获得了含8-羟基喹啉铝和咔唑侧基的共聚物,利用紫外吸收光谱和荧光光谱对所得共聚物的光性能进行了初步研究,结果表明随着共聚物咔唑单体含量的减少、Alq<,3>单体含量增加,UV光谱中咔唑的特征吸收峰减弱,而Alq<,3>的特征吸收峰增强,荧光光谱荧光强度增加,最大发射波长依次蓝移。
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