磁场传感器已经在工业、农业、国防、生物、宇航等各个领域获得了重要应用，如霍尔(Hall)传感器，磁通门传感器等。但是这些传统的磁场传感器在各类应用中都还存在一定的局限性。随着巨磁阻抗(GMI)效应的发现及深入研究，许多新型磁敏传感器不断涌现，较之传统磁场传感器具有稳定性好，灵敏度高，响应速度快，适用范围广等优点。 本文详细分析了非晶材料巨磁阻抗效应原理及影响因素，阐述了基于非晶带材巨磁阻抗效应传感器的工作原理，并设计了基于非晶带材巨磁阻抗效应的磁测传感器系统，包括信号检测与处理电路、数据采集电路、显示电路。通过实验数据分析了磁敏传感器的线性度特性、灵敏度特性，稳定度特性、频率响应特性、温度特性，该传感器磁场测量范围为-0.1mT～+0.1mT；线性度小于0.85％F.S，灵敏度为7.64mV/μT；频率响应范围为0～400Hz；外界温度在．20℃～80℃变化时，输出变化小于1mV/℃。测试结果表明该传感器灵敏度高，性能稳定，具有广泛的应用前景。