在传统的纺织行业与电子、计算机、生物、材料、艺术等行业交叉越来越频繁的环境下,智能纺织品这一新时代的产物诞生了。在智能纺织品中,智能可穿戴设备是一个讨论热点。随着多种智能可穿戴设备的市场化,我们日常的生活变得更加丰富多彩。传感器作为智能可穿戴设备中一个重要部件,其性能的优劣会直接影响智能可穿戴设备的使用效率。场效应晶体管（Field-effect Transistor,FET）是组成传感器逻辑电路的一个重要器件,其具有电流放大和开、关的作用;光电探测器（Photodetector,PD）是光电显示领域中常用的将光信号转化为电信号的媒介,也是传感器中的一个重要组成部分。相较无机材料而言,聚合物半导体材料具有生产成本低、材料性能容易调控、柔性好、制备工艺相对简便等优势,故基于聚合物半导体材料制备的有机场效应晶体管（Organic Field-effect Transistor,OFET）和有机光电探测器（Organic Photodetector,OPD）更适合于智能可穿戴设备的制备。制备性能优异的OFET与OPD器件对制备受市场欢迎的智能可穿戴设备来说是必要的。制备器件原料的性能及制备工艺会影响器件性能,故为制备高性能OFET与OPD器件,本文从这两个角度出发做了如下研究:1、基于三种全给体聚合物PTVTN1、PTVTN2和PTVTN3制备了OFET器件并进行测试,同时借助掠入射广角X射线散射（Grazingincidence Wide-angle X-ray Scattering,GIWAXS）技术与原子力显微镜（Atomic Force Microscopy,AFM）对聚合物薄膜形貌进行研究。研究发现,基于全给体聚合物制备的OFET器件均表现出单极性（p型）特征,表明全给体聚合物利于空穴传输,适合于高性能OFET器件制备。聚合物进行侧链修饰后器件迁移率最高提高三个数量级,表明侧链修饰是一种有效的提高器件性能的方法。聚合物分子结构会影响OFET器件性能,相较于面对面（face-on）的分子堆积方式而言,肩对肩（edge-on）的分子堆积方式更利于OFET器件中载流子传输。2、基于给-受体结合型交替共轭聚合物PCDTFBO、PCDTFBT和PCDTFBSe制备了五种不同导电沟道长度的OFET器件并进行测试,同时借助AFM对聚合物薄膜形貌进行研究。研究发现,对给-受体交替型共轭聚合物进行同主族元素替换可提高OFET器件迁移率和电流开关比,表明元素替换是一种有效的提高器件性能的方法。OFET器件导电沟道长度会影响器件性能,器件迁移率和电流开关比与导电沟道长度成负相关,阈值电压与导电沟道长度成正相关。3、基于给体材料PCIG-BDTT、PCIG-SBDT和受体材料ITIC制备了四种不同活性层厚度的体异质结（Bulk Heterojunction,BHJ）结构的OPD器件并进行测试。研究发现,侧链长度短、最高分子占据轨道（Highest Occupied Molecular Orbital,HOMO）能级深的给体聚合物可有效增加空穴注入势垒,提高OPD器件性能。OPD器件活性层厚度会影响器件性能,器件的外量子效率和光电流密度与器件活性层厚度成负相关,暗电流密度与器件活性层厚度成正相关。