碳化硅陶瓷具有许多好的性能。然而也存在许多亟待解决的问题,SiC陶瓷不但烧结温度高而且硬度远远没有达到预期要求,开发低耗能、高硬度和性能优越的SiC陶瓷越来越引起学者的关注。无压烧结方法不仅简单易行,温度便于控制,制品的力学性能优异,被认为是SiC陶瓷最具发展潜力的烧结方法。而烧结助剂和烧结温度的选择是无压烧结技术中的重要研究内容。实验选用-SiC作为原料,Mg O-Y2O3、Mg O-Ce O2、Mg O-Ce O2-Y2O3为烧结助剂,采用无压液相烧结方法制备3个体系21个SiC复合陶瓷样品,样品的物相显微结构、烧结性能、硬度、介电性能、热膨胀系数和热导率分别借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜、体积密度测试仪、显微维氏硬度计、宽频阻抗分析仪、热膨胀测量仪、热导率测量仪进行测量。（1）SiC+（Mg O-Y2O3）系列陶瓷样品结果表明:Mg O-Y2O3是一种有效的烧结助剂。随着稀土氧化物助烧剂Y2O3的添加量的增多,所制备出的样品致密度增大,当Y2O3质量分数为6%时,样品的线收缩率、相对密度、硬度和平均热导率达到最大,分别为9.44%、87.89%、905.5kgf/mm~2和159.444W/（m·K）;质量损失率、吸水率和气孔率达到最小,分别为12.95%、4.01%和11.18%。当Y2O3的质量分数为3%时,陶瓷样品的平均热膨胀系数有最小值为1.28×10-6/℃。在1MHz下,测试温度由-50℃升至120℃过程中相对介电常数和介质损耗呈递增趋势,二者随温度变化近似线性。当质量分数为4%时,样品的相对介电常数和介电损耗最小,分别在80以下和12以下。（2）SiC+（Mg O-Ce O2）系列陶瓷样品结果表明:Mg O-Ce O2是一种有效的烧结助剂。适量提高Ce O2的比例有助于样品致密化进程,当烧结助剂Mg O:Ce O2=2:8时,样品的硬度达到899.9kgf/mm~2。当烧结助剂Mg O:Ce O2=8:2时,陶瓷样品的平均热膨胀系数最小值,为1.86×10-6/℃。当烧结助剂氧化镁比氧化铈为5:5时,陶瓷体的热导率达到最大,在-100℃、-50℃、0℃、50℃、100℃、150℃六个测量温度点的热导率,分别为123.362W/（m·K）、94.406W/（m·K）、73.178W/（m·K）、59.675W/（m·K）、49.707 W/（m·K）、42.557W/（m·K）。各样品衍射峰明锐清晰,内部的主晶相均为6H-SiC,通过物相检索分析,未发现Mg O和Y2O3物相衍射峰,这说明Mg O和Y2O3均以固溶体形式存在;（3）SiC+（Mg O-Ce O2-Y2O3）系列陶瓷样品结果表明:以Mg O-Y2O3和Mg O-Ce O2烧结助剂为基础,得到热膨胀系数低和热导较大的SiC陶瓷,但在碳化硅陶瓷体的烧结过程中温度太高,导致样品的致密性下降,硬度减小。将助烧剂混合在1850℃时得到相对密度达89.09%,硬度达2642kgf/mm~2的超硬SiC陶瓷,随着氧化铈添加量的增多,氧化钇添加量的降低,所制备出的碳化硅陶瓷样品导热性能增强,CY3的热导率最大,-100℃时的热导值分别为148.100W/（m·K）、115.665W/（m·K）、99.371W/（m·K）。随着烧结温度（1800℃～1900℃）的升高,热导率逐渐增大。本论文研究结果表明:采用复合助烧剂无压液相烧结SiC陶瓷,是一种可以在较低温度下制得高硬度和综合性能优越的有效方法。