铜铟硒薄膜和CdS缓冲层的制备及其性质研究

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随着能源危机和全球变暖的出现,作为清洁能源的太阳能越来越受到重视,太阳电池研究成为了缓解能源和环境问题的重要研究方向之一。CuInSe2(CIS)作为太阳电池的光吸收材料,其禁带宽度为1.04eV,在可见光波段吸收系数高达10-5/cm,抗辐射能力强,稳定性好。目前在CIS掺杂Ga的CIGS电池能量转换效率达到20%,已成为薄膜太阳能电池的研究热点之一铜铟硒材料的制备方法有很多,常见的方法有多元共蒸镀法、溅射法、电子束蒸发法(EBE)、电化学沉积法、硒化金属预制层法、气相输运法等。本文采用了
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