【摘 要】
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针对传统微通道板氢还原过程中微通道板器件的电阻和增益相互制约的矛盾,本文设计并制备出一种基于薄膜打拿极的微通道板。本文选取了AZO（ZnO和Al2O3的复合薄膜）做为薄膜打拿极
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针对传统微通道板氢还原过程中微通道板器件的电阻和增益相互制约的矛盾,本文设计并制备出一种基于薄膜打拿极的微通道板。本文选取了AZO（ZnO和Al2O3的复合薄膜）做为薄膜打拿极的导电层材料,SiO2做为薄膜打拿极的发射层材料,设计了打拿极导电层的厚度是250μm,而发射层得厚度为5nm,根据理论分析,模拟了微通道板电子增益函数,通过实验研究提出了以原子层沉积技术为基础的薄膜打拿极微通道板的工艺制备方案,制备了薄膜打拿极微通道板器件,测试了器件的电阻和电子增益。微通道板器件的电阻随器件两端加载电压的增加而非线性减小,当加载电压为800V时微通道板电阻为110MΩ,器件增益达到300。
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