各向异性磁阻(Anisotropic Magnetoresistance，AMR)材料NiFe由于具有较高的居里温度和较大的各向异性磁阻效应被广泛应用于制作各种磁阻传感器及其衍生的电流传感器。利用该材料并和一定信号处理电路制备成集成的芯片即磁阻开关芯片具有广泛的应用前景。本论文的工作将围绕磁阻材料的设计和制备及与半导体工艺兼容性研究等内容开展，并制备出满足性能需求的磁阻开关芯片。　　本文采用射频（直流）磁控溅射在生长有大约200nm厚的Si3N4过渡层的Si基片上制备NiFe薄膜磁阻条。研究了Ta缓冲层对NiFe薄膜MR性能的影响，其中包括Ta缓冲层的溅射功率以及厚度对NiFe薄膜性能的影响。研究发现当功率为120W时，相同条件下制备的NiFe薄膜的MR值最大，达到1.45％。XRD结果表明当Ta的厚度在5nm左右时NiFe具有最强的(Ⅲ)衍射峰，AFM测试结果表明5nm厚的缓冲层时，NiFe薄膜的晶粒最大。　　在直径为6英寸的基片上制备磁阻图形化敏感单元，薄膜的均匀性与成品率有重要的关系。我们研究了偏心距的溅射方法对薄膜厚度的影响，通过计算得到当偏心距为3.5cm时能够在我们把使用的系统中得到最大均匀性的薄膜。　　采用光刻和剥离技术，制备了图形化的敏感单元，并组成惠斯通电桥。研究了NiFe薄膜的厚度对惠斯通电桥性能的影响。研究发现，随着NiFe厚度的增加其MR值也增大，并在80nm左右时获得最大的MR值。但是磁场敏感性却随着厚度的增加而减小。　　采用光刻和剥离技术在制作好电路的6英寸晶圆上制备磁阻敏感单元，与电路集成。制得样品经过封装测试后制成磁阻开关芯片。经测试，磁性开关芯片具有开关性能，达到设计的要求。