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本文利用聚吡咯膜制备中的离子掺杂过程作为富集手段，对抗坏血酸、草酸、硝苯地平和土霉素在电极表面上的富集进行了研究，同时建立了草酸、硝苯地平的分析检测方法。发现采用该方法可以提高检测的灵敏度，降低检测下限，从而丰富与发展了溶出伏安分析法。 利用电化学、红外光谱、石英晶体微天平等手段对该方法进行了研究，证明了待测物可以方便的在聚吡咯膜的形成过程中掺杂进聚吡咯膜。在一定条件下又可溶出，溶出过程中获得的电化学响应可用于分析检测。 论文的主要工作总结如下： 1、综述了化学修饰电极和导电聚合物修饰电极的研究进展。 2、制备了聚吡咯修饰电极，进行了抗坏血酸的富集研究。 3、对硝苯地平在聚吡咯修饰电极上的电化学行为进行了研究，发现在NH3—NH4Cl底液中以200 mV／S进行线性扫描，硝苯地平在聚吡咯修饰电极上有一灵敏的线性扫描峰，峰电位在-0.96v（vs.SCE）。峰电流与硝苯地平的浓度在1×10-61×10-4mol／L有良好的线性关系，检测下限为5×10-7。 4、利用吡咯的聚合过程将硝苯地平掺杂富集进聚吡咯膜中，在0.088 mol／L H2O2+0.1 mol／L H2SO4底液中以100 mV／s进行线性扫描，硝苯地平有一灵敏的线性扫捕溶出峰，峰电位在-0.628v（vs.SCE）。峰电流与硝苯地平的浓度在1×10-R1×10-4mol／L有良好的线性关系，检测下限为5×10-9，检测灵敏度有了很大提高。 5、利用毗咯的聚合过程将草酸根离子作为对阴离子掺杂富集进聚吡咯膜中，在0.1 mol几的NH3-NH4Cl底液中以150 mV／s进行线性扫描，草酸有一灵敏的线性扫描溶出峰，峰电位在—0.424V（vs.SCE）。峰电流与草酸的浓度在1×10-61×10-4mol／L有良好的线性关系，为草酸及其盐的含量测定提供了新的思路。 6、分别利用吡咯和苯胺的聚合过程将土霉素掺杂富集进制备的膜中，对该过程进行了研究，为土霉素的检测打下了基础。