非晶铟镓锌氧化物（Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide,a-IGZO）薄膜晶体管（Thin-Film Transistor,TFT）已被广泛运用于平板显示。抬高金属型金属氧化物（Elevated-Metal Metal-Oxide,EMMO）TFT将金属源漏电极抬高至钝化层之上,通过通孔与有源层相连,器件的沟道是由退火形成的,沟道长度由金属电极的间距定义,具有尺寸小、可靠性高的优点。在电学特性的研究中,我们发现掺氮后器件的阈值电压（Threshold Voltage,Vth）与亚阈值摆幅（Subthreshold Swing,SS）得到改善,通过仿真器件的转移曲线与对器件进行X射线光电子能谱（X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS）分析,我们发现这种改善是因为掺氮后沟道内的缺陷态减少,机制是氮对沟道内的氧空位进行了填充。随后的迁移率研究中,我们发现前人所提取的表观场效应迁移率忽视了源漏电阻（Rsd）,导致计算存在较大误差;我们提取了Rsd,并得到了不同氮掺杂条件的器件各自对应的沟道场效应迁移率,发现在掺氮后器件的迁移率下降约20%。掺氮后器件的短沟道效应得到抑制,通过提取器件不受栅压调控的沟道长度（ΔL）,我们发现ΔL在掺氮后减小,这是因为氮的填充使得源漏区域的氧空位浓度降低,在退火时氧空位扩散至沟道形成的浓度梯度也减小,ΔL由此变小。在可靠性的研究中,我们进行了负栅压光照应力（Negative Gate Bais Illumination Stress,NBIS）与正栅压光照应力（Positive Gate Bais Illumination Stress,PBIS）两种应力实验,我们发现掺氮后器件的可靠性得到了提高,在两种应力下,掺氮后器件Vth的退化量更低。这两种应力的物理机制均为离化氧空位在界面处的积累,从而导致Vth负漂,结合XPS的实验结果,我们可以得出结论,即掺氮后器件沟道内氧空位减少,从而提高了器件在光照加栅应力下的可靠性。在持续光电导（PPC）的研究中,我们发现掺氮后的器件光电流衰减更快,恢复时间常数也更小,这同样是因为掺氮后器件的沟道内氧空位的浓度更低。通过上述的研究,我们发现了掺氮可以改善Vth与SS,抑制短沟道效应,提升器件的可靠性,器件光照后的恢复速度也更快,带来的仅仅是源漏电阻一定幅度的变大以及迁移率的轻微变小。不仅如此,我们还可以发现,本文所选取的含氮气氛溅射工艺具有较宽的工艺窗口,器件沟道内氮掺杂含量、特性以及可靠性对于溅射时的氮气分压不敏感。