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光刻设备的分辨率越来越高，以满足集成电路特征尺寸不断缩小的要求。根据瑞利判据，可以通过缩小曝光波长和工艺因子、增大数值孔径来提升光学投影光刻的分辨率。随着数值孔径的增加，光的偏振特性对成像的影响越来越大。通过分析偏振光的成像特性，控制照明的偏振方向，可以延伸光刻的分辨率。 运用光的干涉原理分析了偏振光影响成像质量的原因；对成像的基本理论进行了简介；结合阿贝成像原理与偏振的矢量特性对相干情况下偏振光的成像进行了仿真，比较了不同偏振照明下的成像对比度及焦深特性。 考虑到实际光源的部分相干性，对部分相干理论进行了简要介绍；推导了准单色平面扩展光源的霍普金斯公式与范西特·泽尔尼克定理；分别对光刻中两种典型的掩模图形(周期线阵掩模与周期点阵掩模)在不同照明模式、不同偏振情况下的成像进行仿真比较。 结果表明，对掩模图形选取相应的偏振照明模式，可以改善成像质量，从而达到延伸光刻分辨率的目的。