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带有本征薄层的异质结(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer,HIT)电池的结构特点是在PN结之中加入一层本征氢化非晶硅薄膜。HIT电池具有晶硅电池高效和薄膜电池工艺简单的优点。松下公司宣布的最新HIT电池效率高达25.6%,该电池面积为143.7cm2,而目前晶硅电池效率记录为20.4%。本文研究的是P型硅片为衬底的异质结电池和N型硅片为衬底的单面HIT电池的本征层氢气退火处理,主要内容如下:(1)首先用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD)