氧化锌（ZnO）作为第三代半导体材料,有着诸如宽禁带、高激子束缚能、化学性质稳定、无毒无害、成本低廉等优势,广泛应用在发光二级管、激光二极管、太阳能电池和压电器件等领域。作为备受期待的光电材料,材料自身的一些不足限制了 ZnO的应用。受本征点缺陷的影响,本征ZnO多表现为n型,因受限于固溶度和深能级影响,高质量p型ZnO的制备仍是一个重大难题。由于难以制备出同质pn结,异质外延生长的ZnO会面临晶格失配、热膨胀系数差异等问题,在很大程度上限制了 ZnO的进一步应用。无论是为了制备符合器标准的p型ZnO还是获得性能优异的ZnO薄膜,掺杂都是一个可选项。在本次实验中,我们尝试使用激光诱导的方式进行掺杂。利用激光高能量的瞬态效应将元素打入材料中,有效提高掺杂元素的固溶度。本次实验中我们采用的表征仪器有X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、拉曼散射（Raman）、光致发光谱（PL）第一部分的实验中,我们验证了激光诱导实现Ag掺杂的可行性,掺入样品中的Ag元素以替位原子和金属单质的形式存在;Ag的原子半径远大于Zn,替位Zn会使晶格常数增大,带来张应力和晶格损伤;由于补偿能级的存在,掺杂后的样品激子发光峰发生了红移,特别的,在544nm和612nm处出现了两个尖锐的发光峰。为了消除晶格损伤,我们对样品进行了快速热退火处理,成功释放出了样品的张应力;掺杂引起的尖锐发光峰强度减弱,样品的结晶质量得到提高。第二部分的实验主要目的是对掺杂过程中的工艺进行摸索,通过改变实验过程中的激光功率,比较不同样品的性质。我们发现激光功率的提高会增大掺入样品中的Ag含量,提高样品的张应力。且随着Ag含量的提高,样品的紫外带边发光峰强度减弱且峰位发生了蓝移,这现象可以归因于电子-空穴对的影响。上一章节实验中出现的尖锐发光峰出现在较低激光功率制备的样品中,随着激光功率的提高,其强度减弱。本论文是激光诱导掺杂实验的早期摸索,后期我们会对样品的掺杂深度,电学性质和工艺条件等因素做更进一步的研究。