碲化钼,是一种典型的过渡金属硫族化合物材料,其中包括二维的MoTe2薄膜和一维的Mo6Te6纳米线。近年来,低维碲化钼材料因其独特的性质和潜在的应用价值,引起了人们的广泛关注。如何可控制备低维碲化钼并精确调控其原子结构和电子性质,成为研究的关键。在本论文中,我们利用超高真空的分子束外延—X射线光电子能谱—扫描隧道显微镜集成系统,研究了低维碲化钼材料在石墨烯衬底上的可控生长,得到了以下主要结论。（1）Mo-Te二元化合物的生长出现明显的温度相关性。其中,在较低生长温度时,得到二维MoTe2薄膜;随着生长温度升高,一维Mo6Te6纳米线开始出现,并在更高温度下占据主导。（2）在生长的二维MoTe2薄膜中,同时存在半导体性的2H相与半金属性的1T’相,并在平面内形成了原子级连续的2H-1T’MoTe2异相同质结。在2H-MoTe2中存在两种特征的结构,一种是稠密的三角形网络状的孪晶畴界,另一种是1.2 nm的周期性调制结构,后者不能完全用2H-MoTe2/graphene超晶格的摩尔条纹解释,其中还可能存在二维电荷密度波。（3）通过一步生长法可以获得一维Mo6Te6纳米线的无序网络,而通过两步生长法则可以获得Mo6Te6纳米线薄膜。结合密度泛函理论计算和扫描隧道显微谱测量,我们发现获得的一维Mo6Te6纳米线平面束表现为半金属性。此外,我们还可以获得原子级的Mo6Te6-MoTe2平面异质结,扫描隧道显微谱扫描观察到2H-MoTe2在接触处存在能带向上弯曲的现象,这符合金属—半导体结的模型。综上所述,我们的结果给出了一种可控生长低维碲化钼材料并构建其异质结的新方法,这为未来实现其高性能电子和光电子器件应用奠定了基础。