掺杂SrBi<,4>Ti<,4>O<,15>薄膜铁电性能研究

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本论文着重于SrBi_4Ti_4O_(15) (SBTi)层状钙钛矿铁电薄膜的制备及其掺杂薄膜材料的微结构、铁电、疲劳性能的研究。这些研究对于指导设计有实用性能的用于非易失性铁电随机存储器的新型铁电材料有一定的指导作用。运用sol-gel技术在Si /SiO_2 /Ti /Pt基片上制备了性能优良的SBTi铁电薄膜材料。X射线衍射、扫描电子环境和原子力显微镜分析表明了所沉积的薄膜具有良好的结晶学和表面形貌,没有第二相的存在。sol-gel制备的SBTi非晶薄膜在650℃时开始
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