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采用的Si/SiGePMOSFET结构增加沟道内空穴的迁移率，从而提高跨导、减小PMOS管版图面积，提高芯片的集成度、降低功耗.首先在一定近似条件下，建立了一个简单的SiGePMOSFET的解析模型，并此基础上，对器件的纵向结构进行了理论分析，得出氧化层和盖帽层与开启电压Vr和跨导g<,m>的解析式，指导器件结构参数的设计.基于以上的模型分析，按照SiGe沟道载流子最大化的原则，应用MEDICI对SiGePMOSFET（L=2μm）器件SiGe沟道厚度T<,ch>、掺杂浓度、Ge的组分及分布、盖帽层和氧化层厚度（Tcap、Tox）等参数进行优化设计.最后成功地试制出的SiGePMOSFET器件，测试出SiGePMOSFET器件跨导g<,m>=45mS/mm（300K），低温下为92mS/mm(77K)，比300K时提高近一倍.相反SiPMOSTET器件，77K时跨导仅为39mS/mm，与300K时变化不大.测试SiGePMOSFET的开启电压为-1V（300K），低温下为-4V（77K），表明随温度的降低，开启电压降低（绝对值增加）.