本论文主要就在SiGe HBT及其IC的研制过程中出现的问题进行讨论，并相应提出解决方案，最终设计出基于SiGe HBT的两级高频放大器。首先在第二章中，为进行定量研究，计算并得到了具有既定层结构的SiGe HBT的交流小信号等效模型；在建立模型的过程中，由HBT交流I—V方程出发，采用Y型和H型等效电路构架，计算并讨论了其与Si BJT模型的差异；用此模型较好解释了实际频率特性测量中出现的实验现象。然后在第三章中，对两级放大器的电路形式进行了讨论。第四章中，对初步设计的版图在p~+衬底上采用上述模型进行模拟，在有源器件纵向结构一定的前提下，得到影响电路频率性能的主要因素为横向图形尺寸和隔离方法；针对隔离方法进行优化并在Si基片实现了高阻衬底岛型隔离结构。第六章中，设计并优化正式版图，进一步讨论了衬底阻抗、基极串联电阻和压焊点尺寸的影响，使用不同条件模拟验证了高阻衬底岛型隔离方法的交流隔离效能。在第七章，设计了集成电路的工艺步骤。