氧化锌(znO)是一种直接宽带隙化合物半导体材料,对其进行过渡元素的掺杂可以明显的降低它的电阻率从而拓宽了氧化锌的应用领域。ZnO是现今发现的纳米结构非常丰富的材料,其纳米结构在制备纳米光电子器件和纳米电子器件方面有很好的应用价值,可以在场发射、医疗、生物传感等领域得到应用。本文采用磁控溅射法在本征Si(100)上制备Fe掺杂ZnO薄膜,分析研究了溅射时间、溅射工作气压和铁元素掺杂浓度对ZnO薄膜的纳米结构和异质结电学性质的影响。所做的主要工作及结论如下:(1)制备掺杂Fe元素的ZnO靶材。利用769YP-40C型台式粉末压片机分别制备了Zn、Fe元素摩尔比为:1.00:0.00、0.95:0.05、0.90:0.10、0.85:0.15和0.80:0.20的五块靶材。(2)采用JGP560型超高真空多功能磁控溅射系统在本征Si(100)上溅射制备了不同条件的ZnO:Fe薄膜。(3)利用Keithley 2400 Source Meter和XRD等试验手段对掺杂薄膜进行了测定和分析。(4)分析认为不同的溅射时间、不同的射工作气压和不同的铁元素掺杂浓度对ZnO/Si异质结的整流特性均有较大影响;不同条件下制备的铁掺杂ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,ZnO:Fe薄膜存在明显的沿垂直于衬底的c轴择优取向生长。