ZnO具有六角纤锌矿结构，室温下禁带宽度为3.34 eV，且激子束缚能高达60 meV，是一种重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。由于激子束缚能比室温热离化能26 meV大得多，更易在室温下实现高效的激子发射，此外，其生长温度几乎比GaN低一倍，这就在很大程度上避免了因高温生长而导致膜与衬底间的原子互扩散，因此，ZnO已成为宽带隙半导体材料研究热点之一。 本文介绍了一种新的制备纳米ZnO薄膜的方法，即通过热氧化ZnS来获得高质量的纳米ZnO薄膜，同时，还采用热氧化Zn₃N₂薄膜的方法来获得掺氮的ZnO薄膜，利用在n型的衬底上来沉积ZnO∶N薄膜来获得ZnO异质结。采用X射线衍射（XRD）谱，光致发光（PL）谱及电流-电压（Ⅰ-Ⅴ）特性曲线等测量手段对样品的结构、光学和电学特性进行了表征。 实验结果表明通过热氧化ZnS薄膜，获得了高质量的纳米ZnO薄膜：利用热氧化Zn₃N₂制备的ZnO∶N薄膜，可以通过对热氧化温度的控制，来控制其受主的浓度，从而获得具有p型导电的ZnO薄膜，为p型ZnO的制备开创了一条新的道路。