ITO传感器（ITO Sensor），目前广泛应用于各类的电容式触摸屏中。通过刻蚀玻璃基板上的ITO形成ITO电极阵列，再镀金属膜，接着刻蚀金属膜在行电极与列电极交叉处形成金属桥，这便是ITO传感器的一般制作方法。由于金属桥的反射率远高于周围ITO膜和玻璃基板的，使得肉眼能观察到触控玻璃表面有金属桥影。同时触控玻璃表面有ITO的区域与无ITO的区域反射率相差较大，视觉反差明显，肉眼可观察到ITO电极影。针对目前ITO触控玻璃存在金属桥影和ITO电极影的问题，本文通过改进磁控溅射工艺条件以及镀制光学薄膜的途径，来解决这两个具有实际应用价值的问题。主要工作内容及结论如下：　　（1）金属桥的主要成分是铝膜，通过改进镀铝膜的工艺条件，适当增大铝膜表面粗糙度，以降低金属桥的反射率。　　（2）经实验探索出合适的直流磁控溅射条件：溅射功率400W，溅射气压4mT，基板温度130℃，此时铝膜表面粗糙度是19.2nm。实测工艺改进前后金属桥反射率从65.5％减小到54.8%，金属桥影得到有效削弱。　　（3）在玻璃基板与ITO膜层之间镀一种双层结构消影膜（invisible film或index match film），这种消影膜由一层Nb2O5和一层SiO2组成。所用玻璃基板厚度0.7mm，计算出Nb2O5、SiO2、ITO膜层的厚度分别为7nm、58nm、21nm时，在可见光范围可使触控玻璃ITO区域与无ITO区域反射率差值ΔR小于1.0%，满足消影要求。　　（4）制备镀出有双层结构消影膜的ITO触控玻璃样品，测出其在可见光范围的反射率、透过率。结果表明镀有消影膜的ITO触控玻璃能使ΔR基本都控制在1.0%以下，消影效果良好，同时使透过率变得比较均匀。　　（5）在双层消影膜的基础上设计四层结构的消影膜。镀有四层消影膜的ITO触控玻璃结构为Glass|Nb2O5|SiO2|Nb2O5|SiO2|ITO。计算出最优的各层厚度为0.7mm|5nm|54nm|10nm|41nm|15nm。理论上可以使可见光范围内ΔR都严格的控制在0.5%以内，消影效果要优于双层的消影膜。　　（6）制备出镀有四层消影膜的ITO触控玻璃样品，对其进行反射率、透过率的测量，结果表明镀有四层消影膜的ITO触控玻璃在可见光内ΔR都很好的控制在0.5%以内，且透过率曲线变得非常均匀。对比样品表明实际消影效果非常好，有效提高触摸屏显示效果。