上置籽晶垂直区域熔炼法生长碘化铅晶体

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碘化铅(PbI2)单晶体是制作室温半导体核辐射探测器的材料之一,在科研、宇航等领域有重要的应用价值,但由于缺乏高质量的PbI2单晶体而没有得到广泛应用。PbI2是一种综晶化合物,热分解产物碘和铅的蒸气压相差很大,使得用气相法生长晶体时很难控制晶体的化学配比。用熔体法生长PbI2单晶体时,熔体分层使得PbI2晶体偏离化学配比,影响晶体的性能。本文以液-液相分离理论为基础,分析了晶体生长界面层内熔体的分层过程和固-液界面上的综晶反应机理,探索了抑制第二相液滴凝并、促进固-液界面吸收第二相液的方法,提出了
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