OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示屏具有超薄、超轻、自发光、高清晰、制备成本低及可实现柔性显示等优点,近年来,OLED成为平板显示领域研究的热点。利用薄膜晶体管阵列实现OLED的有源驱动可以满足OLED高对比度、高信息含量显示的需要。围绕OLED有源驱动这个问题,本文按照从单管到电路单元、再到集成电路设计的顺序,研制了单管OTFT,在此基础上制备了有机电路单元,最后完成了128×96×3像素全彩色OLED屏有源驱动多晶硅TFT阵列布图设计。以ITO为衬底,分别制备了底栅结构和顶栅结构的CuPc薄膜晶体管。底栅结构的TFT是利用高分子聚合物(甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙脂)为绝缘层,三氧化钼做为有源层和源漏接触之间的缓冲层,在低功函数铝作为源漏金属的情况下,器件具有开启电压低,电流开关比高的特点。顶栅结构的OTFT利用高介电常数的CaF2为绝缘层,增大了器件的开态电流,获得的器件具有较高的迁移率。提取了顶栅结构OTFT在H-SPICE下模型的参数,用此模型对OTFT构成的电路单元进行仿真。在此基础上,制备了基于顶栅结构薄膜晶体管的反相器、与非门、电流镜等基本电路单元,并对电路单元的性能进行了测试。开展了低温多晶硅薄膜晶体管有源驱动OLED的研究,经仿真确定了像素电路内各个参数的值,采用了128×96×3像素的全P沟道低温多晶硅薄膜晶体管驱动阵列的设计,完成将部分周边驱动与显示屏的像素阵列集成在一起的布图设计,有效地减少了外接引线的数目。针对设计工作,提出了一种电流测试方法来快速检测多晶硅TFT阵列驱动管工作状态,具有高精度、不影响开口率、对阵列无损伤等优点。