采用燃烧法,在不同温度（600℃、650℃、700℃、750℃）条件下制备得到Zn₃V₂O₈荧光粉材料,利用x射线衍射仪测定其晶体结构,用扫描电子显微镜观测其表面形貌,用荧光光谱仪测量其吸收光谱和发射光谱。结果表明在700℃条件下制备的Zn₃V₂O₈结晶度最好,在600℃和650℃制备的样品含有Zn₂V₂O₇杂相,Zn₂V₂O₇相的存在会减弱材料的发光性能。Zn₃V₂O₈呈宽带发射,发射宽度在400-700nm之间,550nm处达到峰值,基本上覆盖了整个可见光的范围。利用高温固相法制备了(Zn_1-x-x La_x)₃V₂O₈（x=0,0.001,0.01,0.1）系列荧光粉材料,研究表明掺杂量0.001mol制备的Zn₃V₂O₈:La荧光粉材料结晶度最好,且发光性能最强,随着掺杂浓度继续增大,(Zn_1-x-x La_x)₃V₂O₈的发光性能减弱。理论方面,基于密度泛函理论计算了Zn₃V₂O₈、(Zn_1-x-x La_x)₃V₂O₈、Zn₂V₂O₇、M₃V₂O₈（M=Mg、Sr）的能带、态密度、吸收谱、反射谱等。结果表明:Zn₃V₂O₈带隙宽度为2.715eV,光谱开始于可见光区域,在紫外和近紫外光区域有着良好的吸收。高压条件下可以减小Zn₃V₂O₈的禁带宽度,并增大了Zn₃V₂O₈对紫外及近紫外吸收。La的掺杂浓度对Zn₃V₂O₈光学性质影响很大,当La浓度增大到0.1 mol后其发光效率减弱。由于Zn₂V₂O₇中V与O原子的含量增加,导致V-3d与O-2p态增强,而它们又位于Fermi能级附近,导致禁带宽度减小,且在紫外-近紫外光区域,吸收系数小于Zn₃V₂O₈。对M₃V₂O₈（M=Mg、Sr）的电子结构和光学性能进行模拟计算发现,这些材料的发射光谱都位于可见光区域,能够充当良好的发光材料,相对Mg₃V₂O₈和Sr₃V₂O₈荧光粉材料,Zn₃V₂O₈在紫外和近紫外区域有着更好的吸收。