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近年来,基于石墨烯,拓扑绝缘体（Topological Insulator）等二维层状材料的等离激元在光电子领域的研究中广受关注。新型二维材料等离激元拥有诸多超越传统贵金属等离激元的优势,例如更长的寿命与传播长度,这使得他们极具研究价值。近场光学显微镜（scattering-type Scanning Near-field Optical Microscopy,s-SNOM）是扫描探针显微镜（Scanning Probe Microscopy）家族中的重要一员,其应用非常广泛。在中红外波段扫描得到的近场光学图像能够展现材料一些特殊的性质,这使得S-SNOM成为微纳尺度对材料的化学成分、结构与光电性质进行无损测试分析的一种重要研究手段。本文主要研究使用近场光学显微镜对拓扑绝缘体碲化铋（Bi2Te3）单晶的等离激元进行激发与探测,并尝试对二维材料的等离激元进行调控,除此之外我们还对新型钙钛矿薄膜材料的载流子分布情况进行了观察与分析。主要研究内容如下:1、使用s-SNOM对拓扑结缘体Bi2Te3单晶等离激元的观测结果与分析。我们成功地在实空间观测到了Bi2Te3在中红外波段激发的等离激元,而且观测到了独特的边缘模式条纹。研究发现,超薄的Bi2Te3单晶在中红外波段激发的等离激元主要与其表面态电子有关。2、通过施加栅压的方式成功地对石墨烯与Bi2Te3单晶的等离激元进行了调控。石墨烯的等离激元波长能够从140 nm调控到280 nm,此外石墨烯表面的特殊结构对等离激元的传播有重要影响。Bi2Te3单晶的等离激元调控结果与石墨烯相似,并且受调控的等离激元依然主要与表面态电子有关。3、采用近场光学显微镜对不同方法制备的钙钛矿薄膜的载流子浓度分布进行了系统研究。研究发现,不同的合成方式、处理方法对钙钛矿晶粒的大小、载流子浓度以及材料的稳定性具有重要影响。