Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物碲化镉（CdTe）因其具有良好的光电性质，而成为制备高效率、低成本的多晶薄膜太阳电池理想的吸收层材料。本文概述了CdTe多晶太阳能电池的发展及其应用前景，并对CdTe薄膜的不同掺杂情况作了讨论研究。本文主要部分总结了我的两方面工作：（1）采用近距离升华（CSS）方法制备自掺杂Te的CdTe薄膜，研究富Te对CdTe薄膜性质的影响，同时对样品进行了不同条件的退火处理，分析了退火对样品性质的影响；（2）采用离子注入技术对近距离升华方法制备的纯CdTe薄膜进行Cu离子的掺杂，并对其在N₂气氛下退火，讨论Cu离子注入剂量及退火对薄膜性质的影响。通过分析薄膜的结构、形貌、光吸收、光致发光等性质，我们得出如下主要结论：（1）适量掺Te改善了CdTe薄膜的结晶质量，CdTe薄膜的晶格常数变大，禁带宽度E_g有略微减小，晶体中受主能级深度无变化——掺Te对CdTe薄膜的光学性质影响不大。退火有助于进一步提高薄膜结晶性，改善缺陷等引起的内应力；其中N₂退火使薄膜出现Te的偏析，晶格常数变小，E_g减小。（2）适量掺Cu改善了CdTe的结晶性能，退火能够适当消除由离子注入产生的晶格缺陷及损伤，CdTe晶格常数变小，并出现第二物相Cu₂Te；掺Cu使CdTe薄膜对近红外区的光透射减弱，光能隙减小。