采用高温固相法以氯硼酸锶Sr₅（BO₃）₃Cl为基质，合成了Sr_5-x（BO₃）₃Cl:xEu³⁺、Sr_5-x（BO₃）₃Cl:xTb³⁺、Sr_5-x（BO₃）₃Cl:xCe³⁺和Sr_5-x（BO₃）₃Cl:xDy³⁺四种荧光材料，并对其发光性质进行了详细的研究。研究结果如下：（1）荧光粉Sr_5-x（BO₃）₃Cl:xEu³⁺的主发射峰位于587nm,596nm,613nm和626nm,对应Eu³⁺的⁵D₀→⁷F₁,⁷F₂辐射跃迁，能级劈裂明显。监测626nm发射峰，主激发峰位于392nm，与InGaN管芯匹配。研究了不同Eu³⁺离子掺杂浓度对Sr_5-x（BO₃）₃Cl:xEu³⁺发光性能的影响，随着Eu³⁺离子浓度的增大，样品的发光强度先增大后减小，最佳掺杂浓度为x=0.16。在Sr_5-x（BO₃）₃Cl:xEu³⁺中，Eu³⁺离子⁵D₀能级的荧光寿命约为2.28ms。（2）荧光粉Sr_5-x（BO₃）₃Cl:xTb³⁺的发射峰位于490nm,545nm,587nm和623nm，分别对应于Tb³⁺的⁵D₄→⁷F₆,⁵D₄→⁷F₅,⁵D₄→⁷F₄,⁵D₄→⁷F₃能级跃迁，主发射峰位于545nm。主激发峰位于200nm-300nm之间，属于4f⁷5d¹宽带吸收。确定了Sr_5-x（BO₃）₃Cl:xTb³⁺基质中Tb³⁺浓度对其发光强度的影响及其自身浓度猝灭机制。研究了不同电荷补偿剂对Sr_5-x（BO₃）₃Cl:xTb³⁺材料发光的影响，其中Li+离子改善其发光强度最为明显。（3）荧光粉Sr_5-x（BO₃）₃Cl:xCe3的激发光谱为双峰宽谱，主峰位于292nm和351nm处。样品发射光谱为不对称的带状宽谱，材料的主发射峰位于419nm。经高斯分峰拟合后的408nm与443nm子发射峰分别对应于Ce³⁺的5d→²F_5/2跃迁和5d→²F_7/2跃迁。讨论了Ce³⁺浓度对发射光谱的影响，结果表明随Ce³⁺浓度的增大,样品的发光强度呈现先增大后减小的趋势。Ce³⁺浓度为0.5mol%时发光强度最大，浓度猝灭的机理为电偶极-电偶极相互作用。四种电荷补偿剂Li⁺、Na⁺、K⁺和Cl-均能提高材料发光强度，其中Cl^-补偿效果最为明显。（4）荧光粉Sr_5-x（BO₃）₃Cl:xDy³⁺的发射光谱为典型的双峰曲线，分别位于484nm和575nm处，对应Dy³⁺的4F9/2→6H15/2和4F9/2→6H13/2特征跃迁。激发光谱的主峰位于348nm处。研究了Dy³⁺浓度对发射光谱的影响，结果随着Dy³⁺浓度的增大,黄蓝比（Y/B）基本不变，样品的发光强度呈现先增大后减小的趋势。讨论了电荷补偿剂Li⁺对材料发光强度的影响，随着Li⁺的增加发光强度先增大后减小。测量并标定了Dy³⁺不同浓度下样品的色坐标，均呈现白光发射。