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太阳能是人类取之不尽、用之不竭的可再生能源,也是清洁、不产生任何环境污染的能源。多晶硅薄膜在长波段具有高光敏性,对可见光能有效吸收,且具有与晶体硅一样的光照稳定性,被公认为高效、低耗的最理想的光伏器件材料。多晶硅薄膜太阳能电池兼具单晶硅和多晶硅体电池的高转换效率和长寿命等优点,成为薄膜太阳能电池的主攻方向。 深入研究了在玻璃衬底上等离子体增强化学气相沉积（PECVD）非晶硅薄膜的工艺条件对材料的微观结构和电性能的影响,实验结果表明,反应气体流量比（H2/SiH4）较小,辉光功率较大,成膜压力较大以及较高的玻璃衬底温度都有利于提高非晶硅薄膜在可见光波段的吸收率。所制备的非晶硅薄膜在可见光波段吸收系数最高可达8.5×105cm-1,可用于制备非晶硅薄膜太阳能电池有缘吸收层。 Poly-Si薄膜采用金属诱导晶化法制备。研究了制备Poly-Si薄膜的金属诱导技术和其工艺条件对Poly-Si薄膜的微观结构及光电性能的影响。利用该技术成功地制备出致密性好、晶粒尺寸小且分布均匀的Poly-Si薄膜,并对Poly-Si薄膜的性能进行了测试。实验结果表明,较高的的晶化温度（<600℃）,相对较厚的铝膜厚度,较长的晶化时间以及Al/a-Si:H/Glass结构均有利于金属铝诱导非晶硅薄膜的晶化。非晶硅薄膜开始转化为多晶硅薄膜的晶化温度最低可为450℃,晶化时间最短可为20min。 初步探讨了金属镍诱导非晶硅薄膜晶化的影响,通过对比研究得出,金属镍诱导非晶硅薄膜晶化的效果较金属铝诱导的差,因此选择金属铝做为非晶硅薄膜的诱导金属更为合适。