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本文利用电化学法,在氧化铝(AAO)模板中恒电位沉积了pn型Cu2O/Cd S纳米线。对纳米线的形貌和结构进行了表征,研究了pn结纳米线的电流电压特性、光电性能和光催化性能。在AAO电极上恒电位沉积了Cu2O纳米线,再以Cu2O/AAO为工作电极,恒电位沉积了Cd S纳米线,制备了Cu2O/Cd S纳米线。Cu2O纳米线沉积液温度55℃,沉积电位-0.28 V。Cd S纳米线沉积液温度50℃,沉积电位-1.0 V。MottSchokkty测试结果表明,Cu2O为p型半导体,Cd S为n型半导体,即Cu2O/Cd S纳米线为pn型结构。以pn型Cu2O/Cd S/AAO为工作电极,恒电位交替沉积Cu2O和Cd S纳米线,制备了多层pn型Cu2O/Cd S纳米线。pn型Cu2O/Cd S纳米线直径与AAO模板孔径一致,约为100 nm,长度约为2μm,多层pn型Cu2O/Cd S纳米线的长度约为4μm。XRD结果表明,Cu2O/Cd S纳米线是由立方晶系与六方晶系混合的Cd S和立方晶系Cu2O组成的。电流电压特性测试结果表明,pn型Cu2O/Cd S纳米线具有整流作用。光电响应结果表明,多层pn型Cu2O/Cd S纳米线较pn型Cu2O/Cd S纳米线光电性能好。紫外-可见吸收光谱测试表明,与单一Cd S、Cu2O纳米线相比,pn型Cu2O/Cd S纳米线以及多层pn型Cu2O/Cd S纳米线的光响应范围拓宽,吸收边发生红移;尤其是多层pn型Cu2O/Cd S纳米线,红移更明显,吸光度较大。光催化降解罗丹明B结果表明,光照7 h后,多层pn型Cu2O/Cd S纳米线、pn型Cu2O/Cd S纳米线和Cu2O纳米线的降解效率分别是84.22%、66.02%和48.20%。光降解反应符合一级反应动力学。