随着社会的不断发展,人们对外太空宇宙的探索不断深入,高性能、长寿命电推进技术也越来也被各国科学家重视。电推进技术就是使用电推进系统为航天飞行器提供推力,稳态等离子体推进器又被学者们成为霍尔推进器,是当今社会比较主流一种的电推进装置。霍尔推进器拥有比较高的比冲且使用寿命较长等特点,是一种技术比较成熟、应用也非常广泛的电推进装置,己被各国广泛应用于航天领域执行航天飞行器姿态控制和轨道控制等航天任务,为了使霍尔推进器的性能得到进一步的提高,因此需要对霍尔推进器进行详细深入的研究。本文从磁屏蔽的角度出发获得最优磁场位形分布,结合磁流体方程模拟计算放电通道内各粒子的输运特性。霍尔推进器通过正交电磁场形成霍尔效应来产生推力,而磁场对霍尔效应器关键的作用,同时磁场位形分布对霍尔推进器的综合性能具有较大的影响,因此研究霍尔推进器磁场位形分布具有非常重要意义,既对霍尔推进器综合性能提升提供理论指导意义,也对霍尔推进器的设计优化提供理论基础。本文利用FEMM软件分析不同内外磁屏蔽材料高度对霍尔推进器放电通道内外磁场分布产生的影响。根据磁场分布特征,得到最优磁场位形分布对应的磁屏蔽条件,并获得此时放电通道中线轴线上磁场分布函数关系。通过磁屏蔽技术得到推进器最优磁场位形后,结合磁流体方程对霍尔推进器放电通道内的粒子输运特性进行了数值计算,利用四阶龙格库塔法模拟计算放电通道内各粒子的输运特性。得到放电通道内电子温度、离子速度等参数的分布情况,计算推进器通道内的放电电流和推力等物理参数。