BCD技术是功率集成的最重要的技术。第一代BCD技术是20多年前由ST公司开发出来的。其特点是将硅平面工艺应用的功率集成上,将控制部分(模拟的和数字的)与作为输出的功率器件整合在一起。BCD技术经过二十多年的发展,产生了三个分支,即高压BCD技术,高功率BCD技术和高密度BCD技术。其各自有自己的应用领域,工艺上也各有自己的特点。在过去的二十多年中,BCD技术主要被国外几家知名的IDM公司垄断。本论文结合本人在华虹NEC带领团队开发BCD工艺技术的经验,将重点介绍属于高功率BCD技术的0.35微米BCD技术的技术难点和本人在对这些技术难点所做的工作。通过器件仿真工具,以较低工艺成本,使得BCD工艺中核心器件LDMOS在满足一定击穿电压的基础上尽可能降低比导通电阻,得到高性能的具有竞争力的LDMOS器件;同时明确提出优化器件电场分布,实现高压LDMOS器件安全工作区优化设计和器件可靠性优化设计,提高高压功率LDMOS高的耐受ESD冲击的能力和高的DV/DT开关能力。该工艺平台以模块化的工艺设计方法,实现工艺器件的模块化,方便客户根据自己的需要从复杂的工艺平台中选择自己需要的器件,同时能保持较低的生产成本,从而使得整个0.35微米BCD工艺平台具有较高的技术竞争能力和成本竞争能力。实现0.35微米高功率BCD技术平台上产品的国产化,同时为国家02重大专项0.18微米高密度BCD工艺技术开发奠定技术基础。