溶液法制备工艺因其低成本和操作简单等特点,近年来被广泛应用于金属氧化物薄膜晶体管（Metal Oxide Thin Film Transistor,MOTFT）的制备。本文以旋涂法制备的介质层和有源层为研究对象,通过采用叠层结构的方式来解决传统金属氧化物介质层和有源层所面临的问题,进而实现高性能的叠层介质层和有源层。本文首先探究了叠层金属氧化物介质层的制备工艺。通过采用控制变量法,探索出了薄膜各项参数随退火温度和溶液浓度的变化规律,实现了旋涂法制备的性能可调的Al₂O₃/ZrO₂叠层介质层。研究发现,当Al₂O₃的含量超过50%时,叠层介质层的各项性能趋于相对稳定的状态,不会随各组分含量的变化产生较大的波动;当Al₂O₃含量低于50%时,随着ZrO₂的含量从50%变化至100%,叠层介质层的光学禁带宽度、介电强度、电容密度以及介电常数的变化量分别达到了0.482 eV、2.12 MV cm^-1、135.35 nF cm^-2、11.64,介质层的性能具有很大的调控空间。与此同时,还发现增加叠层数量可以有效阻断薄膜中的晶界,进而提高介质层的介电强度。基于上述叠层介质层的制备方法,接下来进行了叠层有源层的研究。鉴于溶液法与真空法的区别,本文提出了一种In₂O₃/In_xM_yO_z结构的叠层有源层。通过对不同绝缘材料的尝试,最终探索出了性能较为理想的In₂O₃/In_xAl_yO_z-TFT。经过优化,其阈值电压为2.69 V,开关电流比为6.54×10⁷,亚阈值摆幅为0.4V dec^-1,载流子迁移率为1.37 cm²V^-1 s^-1。同时,其相对于In₂O₃-TFT具有更好的正偏压稳定性,其在PBS测试中阈值电压的正漂移量仅为2 V,相对于In₂O₃-TFT的20 V具有明显的改善,但负偏压稳定性的改善并不明显。之后尝试通过构建In₂O₃/In_xAl_yO_z/Al₂O₃结构的有源层,通过背沟道Al₂O₃进一步抑制In₂O₃中类施主杂质产生的电子,但结果不是很理想,还需在后续实验中不断完善。