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随着电子技术和产业的发展，微电子器件日益小型化和集成化，因此高介电常数材料在微电子器件中有着广泛的应用前景。近年来一种体心立方钙钛矿结构的陶瓷材料钛酸铜钙CaCu3Ti4O12(简称CCTO)由于具有巨介电常数而引起了研究人员的关注，成为一种有重要实用价值的新型巨介电常数材料。该材料具有反常的巨介电常数和极低的损耗，特别是在很宽的温区范围内介电常数几乎不变，反映了介电响应的高热稳定性。这些良好的综合性能，使其有可能成为在高密度能量存储、薄膜器件、高介电电容器等一系列高新技术领域中获得广泛的应用；搞清这类材料的巨介电特性、高的热稳定性以及在100K以下的反常下降机理具有重要的理论和实用意义。本论文对巨介电陶瓷CCTO与铁电聚合物在不同浓度下复合材料的储能性能进行了学习研究。研究中使用的巨介电陶瓷为纳米与微米级尺寸的钛酸铜钙化合物，铁电聚合物为聚偏氟乙烯/三氟氯乙烯共聚物(PVDF-CTFE)。分别使用溶液成膜和旋转甩胶方法将陶瓷与铁电聚合物制成不同浓度的薄膜，使用多种处理方法以研究复合材料的储能特性。项目制备和研究了基于微尺寸CaCu3Ti4O12陶瓷和P(VDF-CTFE)88/12共聚物复合材料。对复合材料性能的加工参数，如退火和热压对性能的影响进行了研究。在室温下，得到了性能较好的复合材料薄膜；随即对CaCu3Ti4O12陶瓷和P(VDF-CTFE)88/12共聚物复合材料薄膜的介电常数做了研究。这些复合材料显示出高的介电常数和几乎独立与温度的损耗，这些性能有利于其应用。另外，纳米尺寸和微米尺寸粒子之间的介电常数的差异比在P(VDF-TrFE)55/45的共聚物小得多。对复合材料的击穿场强的测试和分析中，复合材料的击穿场强强烈依赖于复合材料浓度的变化及工艺条件。同时，复合材料的击穿场强也与薄膜厚度有密切关系。因此当薄膜具有较小厚度时，复合材料薄膜表现出很好的储能特性。在对复合材料制作过程中硅烷偶联剂的作用做了测试和分析中，硅烷偶联剂可有效提高复合材料颗粒之间的连接性，加入偶联剂明显改变了材料的介电响应。但是，并未发现复合材料的击穿场强与偶联剂之间有密切关系。