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界面超导的概念起源于上世纪50年代物理学家对二维超导的研究。随着实验技术的发展,目前人们可以很容易地实现原子尺度可控的薄膜生长并制备出原子级平整的界面,这大大推动了界面超导的研究。2012年,我们研究组用分子束外延技术在SrTiO3（001）表面上制备出了单原子层FeSe薄膜,并用扫描隧道显微镜观察到了20 meV的超导能隙,这一工作立即引发了物理学家对界面超导现象的研究热情。为了研究FeSe与SrTiO3的界面在其超导增强中起到的作用,我们利用分子束外延技术在SrTiO3（001）衬底上制备了1-4原子层厚的FeSe薄膜,利用扫描隧道显微镜研究了FeSe薄膜表面的K原子吸附及其对电子结构和超导性质的影响。我们的实验揭示了电子掺杂和界面电声耦合作用对界面高温超导的重要作用。论文取得的主要成果如下:（1）我们发现第2-4层FeSe薄膜在表面吸附碱金属后,均出现大于11 meV的超导能隙,其最大能隙随FeSe厚度增加而降低。在SrTiO3上外延1.5-UC KxFe2Se2薄膜上,我们也观察到了14.5 meV的超导能隙。而对单层FeSe来讲,K原子表面吸附总是抑制其超导特性。此项结果表明,电子掺杂是增强超导的关键因素之一,而FeSe/SrTiO3界面除了对FeSe薄膜提供电子以外还有其他的增强效应。（2）我们通过超导隧穿谱研究了SrTiO3（001）上1-4 UC FeSe超导薄膜中的电声耦合相互作用。在超导隧穿谱中,我们观察到了两支玻色子模式（bosonic-modes）,它们的能量分别为11.0 meV与21.5 meV。玻色子模式的能量大小不随超导能隙变化,且与FeSe薄膜的层厚无关。通过与拉曼散射与中子散射实验数据对比,我们认为实验中观测到的两支玻色子模式是声子模式。这一结果显示Fe Se与SrTiO3界面电声耦合增强作用也是导致这一体系具有高温超导特性的关键因素。综合以上结果,我们认为,界面电荷转移和界面电声耦合增强均是导致FeSe/SrTiO3体系界面高温超导的关键因素:掺杂可以使FeSe具有9 meV的超导能隙,而界面处电声耦合可以继续增大其超导能隙至15-20 meV。我们的研究结果显示人工构建异质结构是提高超导转变温度的有效方法,为寻找新的高温超导体系开拓了新的方向。