中压大功率变换装备直接决定整个直流配电系统的运行性能,而功率器件作为电能变换的核心部件,朝着高电压化、大电流化、低损耗化的方向发展。随着宽禁带器件技术的快速发展,开展基于碳化硅功率器件的中压大功率变流技术的研究已成为学术界和工业界的热点。为此,本文研究了SiC MOSFET串扰现象与低压SiC MOSFET串联技术的具体应用。SiC MOSFET具有优越的高速开关特性,然而器件封装与设计引入杂散参数,使开关过程中产生门极串扰电压。同时商用低压SiC MOSFET在中压领域下,面临击穿电压不足的限制。为解决上述问题,本文主要研究内容包括以下三个方面。首先,通过研究半桥拓扑中器件串扰电压的来源,提出了计及共源电感的串扰电压数学解析模型。该模型的合理性、准确性通过了仿真、实验验证,因此能够依据该数学模型指导器件驱动参数的设计。其次,为实现变换器损耗评估,提出一套自下而上,从单管至模组再到系统的损耗评估工具链。该工具链适用范围广,便于迁移。工具链包含三个层级,第一层级为基于LabVIEW的全自动双脉冲测试平台,第二层级为基于MATLAB的双脉冲特性参数提取工具,第三层级为基于MathCAD的损耗评估工具。该工具链在工程应用过程中,能为项目提供极大便利。最后,搭建基于低压SiC MOSFET串联的10kV/200A半桥模组,以及基于低压IGBT串联的10kV/450A半桥模组。通过双脉冲测试,对比了两个模组的动态参数与损耗特性。接着将两个模组应用于中压整流器,使用损耗评估工具完成系统损耗评估。通过对比分析,验证了低压SiC MOSFET串联技术的应用潜力。