近年来,金属氧化物薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)作为TFT-LCD和AMOLED的半导体开关,以其较高的迁移率,大面积均匀性,可见光范围内透光率高得到了越来越多的关注。研究者们对InZnO(IZO)基TFT进行了广泛的研究,其中IZO:N TFT和IZO:Li TFT的迁移率可分别高达39.3 cm2V-1S-1和80.4 cm2V-1s·-1,但它们的退火温度都高达950°C。过高的退火温度使得制备成本太高不利于工业生产。为了降低制备IZO基TFT的退火温度,我们尝试制备IZO基双有源层TFT。与探寻新有源层材料相比,改变TFT的有源层结构是一种具有战略意义和实用价值的方法。主要研究工作如下:1、在氧气气氛中退火温度为120℃的条件下,用磁控溅射的方法制备了双有源层IZO:Li/InZnSnO(IZTO)TFT,分别研究了双有源层结构中靠近栅绝缘层的下层IZO:Li薄膜厚度和靠近源漏铝电极的上层IZTO薄膜厚度对IZO:Li/IZTO TFT电学性能的影响。2、用磁控溅射的方法制备了 IZO:N/IZTO TFT。首先,在退火气氛为氧气的条件下,研究了退火温度对IZO:N/IZTO TFT电学性能的影响。其次,在退火温度固定为325℃的条件下,研究了分别在氧气、氮气、空气气氛中退火对IZO:N/IZTO TFT电学性能的影响。采用X射线衍射仪(XRD)分别对IZO:N薄膜和IZTO薄膜的结晶状态进行了表征,并分别对IZO:N薄膜和IZTO薄膜的透光性能进行研究。3、在氧气气氛中退火温度为325°C的条件下,研究了 IZO:N薄膜厚度和IZTO薄膜厚度对IZO:N/IZTO TFT电学性能的影响。作为对照,研究了在相同退火条件下单有源层IZO:N TFT和IZTO TFT的电学性能。采用扫描电镜(SEM)分别对IZO:N薄膜和IZTO薄膜的表面形貌进行了研究。