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氧化钒材料在热或者光的激励下可发生优异的半导体-金属相变。这使得它在光开关、激光防护和红外探测等方面有着广泛应用。本论文采用相同的磁控溅射工艺在Si基底上制备了氧化钒薄膜,并辅以快速退火工艺对薄膜样品进行热处理。快速退火工艺是降低二氧化钒薄膜制备时间的重要方法,其对氧化钒薄膜的性能有重要影响,为了获得快速热处理工艺对氧化钒薄膜性能的影响规律,首先利用磁控溅射方法在Si基底上制备氧化钒薄膜,保持所有样品的制备工艺条件相同,然后在不同的热处理工艺下进行快速处理;利用原子力显微镜、X光衍射仪、四探针测试仪