二维材料由于其独特的性质以及潜在的应用价值得到了人们广泛的关注。石墨烯是最具代表性的二维材料之一,其具有强度高,韧性好,高的电子迁移率等优良特点。而它的优良性能也驱使着人们探索更多的,性能更好的二维材料。其中,碳的二维同素异形体就是重点探索研究的方向之一。本文从第一性原理出发,对一种碳的同素异形体,T型石墨烯的电子输运性质进行了深入研究。得到了以下结论:我们研究了T型石墨烯的声子限制的电子迁移率,它的声子限制的电子迁移率随着温度的升高和电子密度的增加而减小。其次,我们观察到低温行为μe∝-5.53（T代表温度）,并预测在高于德拜温度的高温下将出现μe∝-1行为。这意味着T型石墨烯具有很高的特征温度TBG°最后,也是最重要的一点,在相同的载流子浓度下,我们得到了比单层石墨烯（1.35×10~5cm~2/Vs）大得多的室温下的电子迁移率2.78×10~6cm~2/Vs。然后我们研究了镜像对称的armchair边T型石墨烯（ATGNR）的输运性质,计算了无掺杂ATGNR,以及分别掺杂硅、磷、氮、硼的ATGNR对应的零偏压透射谱,I-V特性曲线。发现了负微分电阻效应。除掺杂外,我们还给ATGNR分别施加了磁场和电场进行能带结构以及电导的计算。我们观察到了朗道能级,并且在实验上可实现的磁场强度（如6.57T）下即可使狄拉克点打开带隙,从而关闭透射通道。加电场至0.43 V/（?）,能带结构中的狄拉克点消失,透射通道完全关闭。另外,我们增加了条带宽度进行计算,仍然在电场为0.43 V/（?）时狄拉克点消失。因此,对ATGNR加入磁场或者电场可作为透射的调控开关或逻辑器件使用。