高压直流GIL/GIS设备生产、组装及运行过程中产生的金属微粒在较高的电场应力作用下易荷电并发生启举运动,并且金属微粒在电极间运动的过程中极易诱发局部微放电甚至造成绝缘介质击穿,严重影响GIL/GIS设备的安全稳定运行。在金属微粒的治理方法中,电极表面覆膜法由于具有简便、有效的优势而愈发受到关注,其中PECVD（等离子体增强化学气相沉积）法能够在材料表面快速制备高质量的功能性薄膜,因此本文尝试使用等离子体射流在Cu电极表面沉积TiO₂-SiO₂复合薄膜并探究其对金属微粒启举和微放电的抑制作用。本文首先通过等离子体射流在Cu和PMMA表面沉积SiO₂薄膜对薄膜沉积过程进行了探究,实验通过改变O₂和N₂的流量对放电强度和薄膜特性进行调节,并根据不同参数下的测量结果分析了影响薄膜沉积的主要因素,为功能性薄膜的制备提供了实验指导。随后,在Cu表面快速沉积了与基底结合紧密的TiO₂-SiO₂复合薄膜,并分别通过金属微粒启举测试系统和COMSOL分析了沉积薄膜对金属微粒启举及其引发微放电的抑制效果。最后,实验通过热老化的方法研究了沉积的TiO₂-SiO₂复合薄膜对金属微粒启举抑制效果的稳定性。本文的研究结果表明,基底性质和放电气体组分对等离子体放电特性及薄膜性质均具有较大影响,其中绝缘基底表面由于电荷积累作用使其表面沉积的SiO₂薄膜氧化程度高于金属基底的情况。在激发气体中混入O₂能够有效均匀产生的射流等离子体,而混入40sccm的N₂后薄膜表面颗粒物直径减小至100nm左右。在Cu电极表面沉积复合薄膜后金属微粒启举电压提高了约18%,电极间的电场畸变程度亦有一定程度降低。本文的实验验证了使用等离子体沉积法在电极表面制备功能性薄膜抑制金属微粒启举的可行性,为实际问题的解决提供了新的思路。