半导体激光器自身解理腔面未镀膜时,当入射光线以0。射到GaSb-Air界面上时,由反射比公式计算可得大约有70%的激光能量因散射而没有得到有效的利用。为了改善GaSb基激光器腔面膜的光学性能,本文根据有关薄膜设计理论,对比分析多种薄膜材料的性质,选取合适的材料并借助薄膜设计软件进行多次优化设计,通过各个膜系的对比分析,前腔面采用Ta205单层增透膜；后腔面采用Ge和Si02组合的多层介质高反膜系,并选择A1203作为高反膜与GaSb基的连接层材料。在工艺制备过程中采用离子束辅助镀膜技术成功制备了符合本课题的前腔面增透膜和后腔面高反膜。经光谱测试在2μm附近波段,增透膜反射率为2.582%,高反膜反射率为99.05%。在制备好的薄膜中选择符合光谱特性要求的一组高反膜和单层增透膜进行薄膜表面形貌及粗糙度的测试。所有测试结果满足本课题的技术参数要求。