纳米硅和多孔硅结构和光致发光和电致发光

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该文中的工作大体包括两部分:(1)多孔硅的可见光发射及其机制:该文中报道一些新的关于多孔硅光致荧光的实验结果.作者已得到的所有的实验事实和相应的理论分析,都支持量子限制/发光中心(QCLC)模型对多孔硅发光的解释.用超临界干燥方法能制备微结构完好的超高多孔度(多孔度>90%)多孔硅,为研究高多孔度的多孔硅微结构和发光提供了一种新的途径;(2)金属/含纳米硅的绝缘层/半导体结构的电致发光:对多孔硅发光机制的深入研究,使人们注意到纳米尺度的硅粒在发光中的作用.然而多孔硅的电致发光很弱.受到金属/自然氧化硅/硅结构发光的启发,作者在金属/氧化物/半导体(MOS)结构中的氧化物超薄膜中通过控制工艺条件使之镶嵌纳米硅粒,在两端加以电压时,这种二极管结构即有较强的可见光发射.用超薄氮氧化膜取代上述氧化膜,发现也有相似的但有自己特征的可见光发射.作者用该实验室提出的量子隧穿/发光中心模型对已得到的电致发光实验结果进行了解释和讨论.
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